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元件参数资料
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参数目录35268
> 1N757ATR DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35
型号:
1N757ATR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
1N757ATR PDF
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
9.1V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.5V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100nA @ 1V
容差
±5%
功率 - 最大
500mW
阻抗(最大)(Zzt)
10 欧姆
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装
DO-35
包装
剪切带 (CT)
工作温度
-65°C ~ 200°C
其它名称
1N757ACT
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